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意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET
- 意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
- 關鍵字： 意法半導體 STripFET F8 MOSFET
強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術車規(guī)級60 V N通道 突破車用電子的高效表現(xiàn)
- 隨著汽車產業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強茂推出最新車規(guī)級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
- 關鍵字： 強茂 SGT MOSFET 車用電子
意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
- 關鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結構可實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
- 關鍵字： 東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET
意法半導體第四代碳化硅功率技術問世！為下一代電動汽車電驅逆變器量身定制
- 意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
- 關鍵字： STPOWER SiC MOSFET
【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退
- 隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生實質性的器件參數(shù)退化，從而導致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關鍵功能：自動提取設備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應力時間的應力測量序列輕松導出測量數(shù)據(jù)進行高級分析本文說明描述了如何在Kei
- 關鍵字： 202410 泰克科技 MOSFET
Littelfuse推出高頻應用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器
- 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器。這些柵極驅動器專為驅動MOSFET而設計，通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅動器具有16納秒的短傳播延遲時間和7納秒的短暫
- 關鍵字： littlefuseli MOSFET
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
國家隊加持，芯片制造關鍵技術首次突破
- 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
- 關鍵字： 碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型
- 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
- 關鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 極氪
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